天津市科技发展战略研究计划项目(09ZCKFGX00900)

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0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路
《南开大学学报（自然科学版）》2011年第6期11-13,共3页程兆贤 张小兴 戴宇杰 吕英杰 陈力颖 
天津市科技发展计划项目(09ZCKFGX00900)
介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路,可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流.采用EEPROM嵌入式0.18μm工艺,工作电压1.8 V.改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流.
关键词：RFID EEPROM 阵列 漏电流 
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