北京工业大学博士启动基金(X0002013201103)

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45nm工艺下8管双阈值SRAM单元的研究
《微电子学》2012年第4期511-514,517,共5页刘文斌 汪金辉 吴武臣 
北京工业大学博士启动基金资助项目(X0002013201103);国家自然科学基金资助项目(60976028)
比较分析了8管SRAM单元在不同双阈值组合情形下的性能,为不同需求的设计者提供了在静态噪声容限(SNM)、漏功耗和延迟之间做出合理权衡的参考。仿真结果表明,组合C8具有最大的SNM,高阈值晶体管Mnl可以有效抑制漏电流。最后,分析了不同组...
关键词：静态随机存取存储器 静态噪声容限 漏功耗 读写延迟 
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