吉林省科技发展计划基金(20020615)

作品数:4被引量:12H指数:2
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CaSiO_3:Eu^(3+)Bi^(3+)的制备及发光性能被引量:7
《东北师大学报(自然科学版)》2007年第3期75-78,共4页刘惠莲 杨景海 刘文彦 杨丽丽 张永军 
国家重点基础研究发展计划项目(2003CD314702-02);吉林省科技发展计划项目(20020615)
采用溶胶-凝胶法合成了具有单斜晶系钙钛矿型CaSiO3结构的CaSiO3∶Eu3+Bi3+发光体.其激发光谱的峰位位于238,396,415,437和359 nm,分别对应于Eu3+—O2-的电荷迁移带、Eu3+的7F0,1—5L6,7F0—5D3,7F1—5D3的跃迁谱线和Bi3+的1S0—3P1吸收...
关键词:偏硅酸钙   发光 溶胶-凝胶法 
In_xGa_(1-x)As盖层InAs量子点的发光性能研究
《高等学校化学学报》2005年第10期1926-1929,共4页杨景海 宫杰 杨丽丽 范厚刚 赵庆祥 
吉林省科技发展计划项目(批准号:20020615)资助
用分子束外延系统在GaAs(001)衬底上生长InAs量子点,在InAs量子点上插入3 nm的In0.4Ga0.6As层,可将量子点发射波长调谐到1 300 nm附近.对样品进行氢等离子处理,研究处理前后样品的InAs量子点光致发光(PL)强度的变化.结果表明,在InAs量...
关键词:INAS量子点 界面缺陷 光致发光 
InAs量子点光致发光效率的研究
《高等学校化学学报》2004年第12期2349-2352,共4页杨景海 宫杰 刘伟 范厚刚 杨丽丽 赵庆祥 
吉林省科技发展计划项目 (批准号 :2 0 0 2 0 615 )资助
利用分子束外延技术制得 In As量子点样品 ,采用分光光度法对样品的光致发光效率进行研究 .发现在 In As层和 Ga As覆盖层之间插入隧道阻挡层 ,当激发功率密度为 60 W/ cm2 时 ,In As量子点发射强度的增加量超过一个数量级 .
关键词:INAS 量子点 光致发光效率 
用莫尔斯势对双原子分子振动光谱的理论研究被引量:5
《东北师大学报(自然科学版)》2004年第1期50-54,共5页杨国春 陈世浩 
吉林省科技发展计划项目(20020615)
 通过用莫尔斯提出的双原子分子势函数,求解双原子分子振动的薛定谔方程,讨论了双原子分子振动光谱.结果表明,莫尔斯势包含双原子分子振动的一级非谐性质,它能够较好地反映双原子分子振动情况.得出了离解能与振动光谱常数之间的关系.
关键词:分子势函数 非谐性 莫尔斯势 离解能 
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