浙江省自然科学基金(2008R10008)

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氩等离子体诱导量子阱混合技术
《浙江大学学报（工学版）》2011年第6期1057-1061,共5页彭盛华 张欣 何建军 
国家自然科学基金资助项目(60788403);浙江省自然科学基金资助项目(2008R10008)
研究了基于InGaAsP/InP应变多量子阱片的氩等离子体诱导量子阱混合工艺方法.当等离子刻蚀机(ICP)的射频(RF)功率为480W、ICP功率为500W、处理时间为1min时,ICP处理过程中氩(Ar)等离子体对量子阱片的刻蚀深度小于牺牲层的厚度500nm,晶格...
关键词：量子阱混合 氩等离子体 InP牺牲层 光致发光(PL) 退火温度 ICP功率 
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