国家重点实验室开放基金(06zs3601)

作品数：1被引量：5H指数：1
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GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征被引量：5
《发光学报》2007年第6期885-889,共5页李梅 李辉 王玉霞 刘国军 曲轶 
国家重点实验室基金资助项目(06zs3601)
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量...
关键词：超辐射发光二极管 非均匀阱宽多量子阱 光致发光 
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