江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(CXZZ110382)

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考虑到纵向掺杂分布影响的SOI功率器件完全耐压模型
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2014年第3期85-89,共5页花婷婷 郭宇锋 于映 
国家自然科学基金(61076073);教育部博士点基金(20133223110003);江苏省普通高校研究生科研创新计划(CXZZ11_0382)资助项目
首先将任意纵向掺杂的漂移区等效为均匀掺杂的漂移区,然后基于二维泊松方程获得了SOI功率器件在全耗尽和不全耗尽情况下表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型对漂移区纵向均匀掺杂、高斯掺杂、线性掺杂和二阶掺杂SOI二极管...
关键词：绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 模型 
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