国家自然科学基金(10345003)

作品数：3被引量：13H指数：2
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相关期刊：《核技术》《真空科学与技术学报》《Journal of Materials Science & Technology》更多>>
相关主题：等离子体浸没离子注入PIII脉冲偏压离子流密度物理量更多>>
相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
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等离子体浸没离子注入绝缘材料的研究被引量：3
《核技术》2006年第5期335-338,共4页田修波 杨士勤 Ricky K Y Fu Paul K Chu 
国家自然科学基金(10345003和50373007);HongKongResearchGrantsCouncil(RGC)CompetitiveEarmarkedResearchGrant(CERG)#CityU1052/02E联合资助项目
等离子体浸没离子注入是一种新形式的离子注入技术,是利用负偏压工件周围形成的等离子体鞘层进行离子加速、进而获得离子注入。等离子体注入的前提条件是工件导电,因此对于绝缘材料的等离子体注入可能存在问题。本文从理论和实际处理的...
关键词：等离子体离子注入 绝缘材料 鞘层 表面充电 
等离子体浸没离子注入(PIII)过程中初始离子阵鞘层尺度内各物理量的时空演化被引量：10
《真空科学与技术学报》2005年第2期115-119,共5页黄永宪 田修波 杨士勤 黄志俊 Ricky Fu Paul K.Chu 
国家自然科学基金(10345003和50373007)资助
等离子体浸没离子注入(PIII)是用于材料表面改性的一种较新的、廉价的、非视线的技术。靶体被浸没在等离子体中,等离子体中的离子在靶体负脉冲偏压的作用下注入靶体而实现材料的表面改性。为了描述等离子体浸没离子注入过程,我们引用了...
关键词：等离子体浸没离子注入 离子注人 鞘层 子阵 PⅢ 物理量 Poisson方程 材料表面改性 Newton 时空演化规律 离子流密度 脉冲偏压 数值模拟 粒子模型 求解空间 运动方程 离子浓度 靶体 电势 一维 电子 动能 
Spatial Potential Distribution around Trench Target during Plasma Immersion Ion Implantation
《Journal of Materials Science & Technology》2003年第z1期94-96,共3页Xiubo Tian Chunbei Wei Shiqin Yang Paul K. Chu Ricky K.Y. Fu 
This work was partly supported by the National Natural Science Foundation of China (No.10345003) and Hong Kong Research Grants Council (RGC) Competitive Earmarked Research Grants(CERG) # CityU 1013/01E or 9040577 and CityU 1052/02E or 9040689.
Plasma ion implantation, an alternative to conventional beam-line ion implantation, is a sheath-acceleration ionbombardment technique and the initial sheath is crucial to the process efficacy and surface properties. T...
关键词：PLASMA ion implantation  TRENCH target  Potential distribution 
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