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Interface dipole engineering in metal gate/high-k stacks被引量：1
《Chinese Science Bulletin》2012年第22期2872-2878,共7页HUANG AnPing ZHENG XiaoHu XIAO ZhiSong WANG Mei DI ZengFeng CHU Paul K 
supported by the National Natural Science Foundation of China(51172009,51172013 and 11074020);Program for New Century Excellent Talents in University(NCET-08-0029);Hong Kong Research Grants Council(RGC)General Research Funds(GRF)(CityU112510);City University of Hong Kong Strategic Research Grant(SRG)(7008009)
Although metal gate/high-k stacks are commonly used in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) in the 45 nm technology node and beyond,there are still many challenges to be solved.Among the variou...
关键词：IDE接口 金属栅 偶极子 堆叠 工程 MOSFET 半导体场效应晶体管 技术节点 
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