国家自然科学基金(50902119)

作品数：4被引量：2H指数：1
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相关期刊：《物理学报》《人工晶体学报》《光电子．激光》《Chinese Physics B》更多>>
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退火对Ge诱导晶化多晶Si薄膜结晶特性的影响
《物理学报》2012年第19期484-489,共6页康昆勇 邓书康 申兰先 孙启利 郝瑞亭 化麒麟 唐润生 杨培志 李明 
国家自然科科学基金(批准号:50902119;61176127);国家国际科技合作专项项目(批准号:2011DFA62380)资助的课题~~
本文采用磁控溅射法,衬底温度500℃下在硅衬底上分别制备具有Ge填埋层的a-Si/Ge薄膜和a-Si薄膜,并进行后续退火,采用Raman光谱、X射线衍射、原子力显微镜及场发射扫描电镜等对所制薄膜样品进行结构表征.结果表明,Ge有诱导非晶硅晶化的作...
关键词：多晶硅薄膜 非晶硅 诱导晶化 
Sn-based type-VIII single-crystal clathrates with a large figure of merit
《Chinese Physics B》2012年第1期462-466,共5页Deng Shu-Kang Li De-Cong Shen Lan-Xian Hao Rui-Ting T.Takabatake 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.50902119)
Single-crystal samples of type-VIII BasGa16-xCuxSn30 （x = 0, 0.03, 0.06, 0.15） clathrates were prepared using the Sn-flux method. At room temperature the carrier density, n, is 3.5-5 × 10^19 cm^-3 for all the sampl...
关键词：thermoelectric material type-VIII clathrate thermoelectric properties 
Ge诱导晶化多晶Si薄膜的制备及结构表征被引量：2
《光电子．激光》2011年第1期75-78,共4页邓书康 康昆勇 郝瑞亭 申兰先 田晶 涂洁磊 廖华 杨培志 
国家自然科学青年基金资助项目(50902119);云南省社会发展基础研究资助项目(2009CD114;2007E197M)
采用测控溅射,通过Ge诱导晶化法在Si衬底上制备多晶Si薄膜。采用Raman光谱、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及场发射扫描电镜(FESEM)等对所制备的薄膜进行表征。结果表明,当生长温度为800℃时,Ge有诱导非晶Si(a-Si)薄膜晶化的作用,...
关键词：多晶硅薄膜 诱导晶化 制备 结构表征 
n型Ge基Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30)Ⅰ-型笼合物的制备及电传输特性
《人工晶体学报》2010年第1期237-241,共5页邓书康 申兰先 郝瑞亭 田晶 杨培志 
国家自然科学青年基金(No.50902119);云南省社会发展基础研究项目(No.2008CD114;2007E197M)
用熔融法结合放电等离子体烧结技术,采用Zn掺杂制备了具有半导体传导特性的n型Ba8Ga16-xZnxGe30I-型笼合物,研究了Zn部分置换Ga对化合物电传输特性的影响。研究表明所制备的化合物为单相的具有空间群Pm3-n的I-型笼合物。Zn掺杂前对应化...
关键词：I-型笼合物 热电材料 电传输特性 
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