高功率半导体激光国家重点实验室基金(ZS3604)

作品数：3被引量：4H指数：1
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相关期刊：《红外与激光工程》《发光学报》《长春理工大学学报（自然科学版）》更多>>
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脊波导半导体激光器模式特性研究与设计被引量：1
《长春理工大学学报（自然科学版）》2011年第2期56-58,15,共4页张秀 薄报学 高欣 乔忠良 邹微微 
高功率半导体激光国家重点实验室基金资助项目(ZS3604)
利用有效折射率法求解了脊形光波导半导体激光器的模式场分布,采用数值计算得到有效折射率随波导厚度变化关系。通过对这种波导模式的分析,进行了单模脊波导的设计,提出了一种新器件结构。并运用Matlab进行模式模拟,分析结果表明器件有...
关键词：有效折射率 模式 MATLAB 
缓冲层对InSb/GaAs薄膜质量的影响被引量：3
《发光学报》2007年第4期546-550,共5页李占国 刘国军 李梅 尤明慧 熊敏 李林 张宝顺 王晓华 王勇 
高功率半导体激光国家重点实验室基金资助项目(ZS3604)
InSb是制作3～5 μm红外探测器的重要材料.在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响.通过系列实验,研究了在...
关键词：分子束外延 缓冲层 表面形貌 透射电子显微镜 
MBE生长中缓冲层对InSb/GaAs质量影响的研究
《红外与激光工程》2007年第z1期692-695,共4页李占国 刘国军 尤明慧 熊敏 李梅 李林 
高功率半导体激光国家重点实验室基金资助项目(No.ZS3604)
用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上外延生长了InSb薄膜,并研究了异质外延InSb薄膜生长中缓冲层对材料质量的影响。采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面...
关键词：分子束外延 缓冲层 原子力显微镜 透射电子显微镜 
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