熊敏

作品数：5被引量：15H指数：3
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供职机构：华北电力大学更多>>
发文主题：分子束外延INSB缓冲层GAAS分子束外延生长更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《红外与激光工程》《发光学报》《微纳电子技术》《稀有金属材料与工程》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国博士后科学基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
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InSb缓冲层的波纹结构及其对InSb/GaAs外延薄膜电学性能的影响
《红外与激光工程》2011年第3期480-483,共4页熊敏 李美成 
国家自然科学基金资助项目(50972032);国家高技术研究发展计划资助项目(2009AA03Z407)
采用分子束外延方法在GaAs（001）衬底上生长了InSb外延薄膜,其中采用＂二步法＂制备了不同厚度的低温InSb缓冲层结构。利用Mullins扩散模型对缓冲层的生长过程进行了具体演化。结合扩散模型的计算结果,通过原子力显微镜以及透射电子显...
关键词：INSB薄膜 Mullins方程 分子束外延 
半导体异质结界面处Sb/As交换反应研究
《稀有金属材料与工程》2009年第11期1983-1986,共4页邱永鑫 李美成 熊敏 张宝顺 刘国军 赵连城 
国家自然科学基金项目(50502014);教育部新世纪优秀人才计划资助项目(NCET)
利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究。实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含...
关键词：分子束外延 异质结 超晶格 Sb/As交换反应 
分子束外延InAs量子点的RHEED实时原位分析被引量：3
《微纳电子技术》2008年第8期470-475,479,共7页李美成 王禄 熊敏 刘景民 赵连城 
介绍了利用反射式高能电子衍射(RHEED)方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向、量子点应力分布测定、量子点形核长大动力...
关键词：分子束外延 INAS量子点 反射式高能电子衍射 实时原位 微结构分析 
“一”字型保偏光纤热应力致双折射分析被引量：9
《红外与激光工程》2008年第2期359-362,共4页李美成 熊敏 刘礼华 王洪磊 萧天鹏 梁乐天 
国家高技术研究发展计划863资助项目(2003AA312120);中国博士后科学基金资助项目(2003034335)
采用实验观测与理论模拟相结合的方法对"一"字型保偏光纤进行了研究。对保偏光纤的应力区与芯区的形状进行了观测,获得了它们的实际几何形状。在此基础上运用有限元方法分析了"一"字型保偏光纤内的热应力分布,解释了光纤芯区形变的原因...
关键词：保偏光纤 有限元法 热应力 双折射 
缓冲层对InSb/GaAs薄膜质量的影响被引量：3
《发光学报》2007年第4期546-550,共5页李占国 刘国军 李梅 尤明慧 熊敏 李林 张宝顺 王晓华 王勇 
高功率半导体激光国家重点实验室基金资助项目(ZS3604)
InSb是制作3～5 μm红外探测器的重要材料.在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响.通过系列实验,研究了在...
关键词：分子束外延 缓冲层 表面形貌 透射电子显微镜 
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