电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(KFJJ200804)

作品数：4被引量：16H指数：4
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相关期刊：《功能材料与器件学报》《微波学报》《电子科技大学学报》《电子元件与材料》更多>>
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DC-18GHz微波功率薄膜电阻器的设计及制作被引量：5
《微波学报》2011年第1期74-77,共4页司旭 张万里 蒋洪川 彭斌 王超杰 李言荣 
四川省支撑计划(2010GZ0156);电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KFJJ200804)
设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,...
关键词：薄膜电阻器 驻波比 TaN薄膜 
热处理对TaN薄膜电性能的影响被引量：4
《电子元件与材料》2011年第2期47-49,共3页刘飞飞 唐云 张万里 蒋洪川 司旭 
四川省支撑计划资助项目(No.2010GZ0156);电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金资助项目(No.KFJJ200804)
采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻(R□)及电阻温度系数(TCR)的影响。研究发现,在热处理时间为2h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12?/□增加到24?/□,TCR从15×1...
关键词：TaN薄膜 热处理 方阻 电阻温度系数 
掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响被引量：6
《电子科技大学学报》2010年第3期440-442,共3页蒋洪川 王超杰 张万里 向阳 司旭 彭斌 李言荣 
电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KFJJ200804)
采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaAlN薄膜,通过调节复合靶Al/Ta面积比调节Al掺杂量,研究了Al/Ta面积比对TaAlN薄膜微结构及电性能的影响。XRD结果表明,TaN薄膜中掺杂Al可在2θ为38.5°和65.18°处分别有立方结构的AlN(101...
关键词：AL掺杂 磁控溅射 TaN薄膜 TCR 
氮流量对TaN薄膜微结构及性能的影响被引量：5
《功能材料与器件学报》2010年第1期85-88,共4页王超杰 蒋洪川 张万里 向阳 司旭 
电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金资助项目(KFJJ200804)
采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaN薄膜,研究了氮流量(N2/(N2+Ar))对TaN薄膜微结构及性能的影响。结果表明,随氮流量的增大,TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝对值逐渐增大,而沉积速率逐渐降低。当N2流量较低(2%...
关键词：TaN薄膜 TCR 磁控溅射 氮流量 
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