国家自然科学基金(10390161)

作品数：5被引量：23H指数：3
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相关作者：赵卫朱少岚阮驰阮成礼陈国夫更多>>
相关机构：中国科学院电子科技大学中国矿业大学（北京）西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《光子学报》《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》更多>>
相关主题：INP光导开关化合物半导体磷化铟砷化镓更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
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成像板在超强激光与等离子体相互作用产生超热电子研究中的应用被引量：3
《中国科学（G辑）》2009年第1期37-42,共6页梁文锡 李玉同 徐妙华 远晓辉 郑志远 张翼 刘峰 王兆华 李汉明 金展 魏志义 赵卫 李英骏 张杰 
国家自然科学基金(批准号:10675164,60621063,10334110,10575129,10510490和10390161);国家高技术惯性约束聚变主题、中国科学院知识创新工程重要方向(编号:KJCX2-YW-T01);高温高密度等离子体物理国防科技重点实验室资助项目
成像板(imageplate,IP)具有动态范围宽、量子效率高、线性度与灵敏度好以及可重复使用等优良特性,在物理实验研究中具有很大的应用潜力.将成像板技术应用于超短超强激光与等离子体相互作用实验中产生的超热电子的诊断,研究了相互作用中...
关键词：成像板 激光与等离子体相互作用 超热电子 
Study of hot electrons generated from intense laser-plasma interaction employing Image Plate被引量：2
《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2008年第10期1455-1462,共8页LIANG WenXi LI YuTong XU MiaoHua YUAN XiaoHui ZHENG ZhiYuan ZHANG Yi LIU Feng WANG ZhaoHua LI HanMing JIN Zhan WEI ZhiYi ZHAO Wei LI YingJun ZHANG Jie 
Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 10675164, 60621063, 10334110, 10575129, 10510490, and 10390161);the Funds of the Chinese Academy of Sciences for Key Topics in Innovation Engineering (Grant No. KJCX2-YW-T01) and the National High-Tech ICF Program
Image Plate (IP) is convenient to be used and very suitable for radiation detection because of its advantages such as wide dynamic range, high detective quantum efficiency, ultrahigh sensitivity and superior linearity...
关键词：IP LASER-PLASMA INTERACTION HOT ELECTRONS 
Cr^4＋：YAG被动调Q微晶片激光器重复频率稳定性研究被引量：5
《光子学报》2008年第9期1717-1721,共5页刘少龙 朱少岚 赵卫 刘红军 王屹山 高存孝 
国家自然科学基金(10390161,30370420)资助
对连续激光二极管抽运Nd∶YVO4/Cr4+∶YAG被动调Q微晶片激光器输出激光重复频率的稳定性进行了理论和实验研究.结果表明,谐振腔内存在最佳净增益,可以使激光器工作在稳定区.通过优化腔内的净增益,耦合输出镜反射率为85%,饱和吸收体初始...
关键词：被动调Q 稳定性 净增益 CR^4+:YAG 
高效层叠平行板Blumlein脉冲产生器性能分析被引量：1
《光子学报》2007年第6期976-981,共6页张同意 石顺祥 赵卫 阮驰 朱少岚 
国家自然科学基金重大项目(10390161);国家自然科学基金(30370420);中国博士后科学基金;香港王宽诚教育基金会资助
采用时空图和矩量法对单和多平行板Blumlein脉冲产生器的输出特性作了详细分析.数值计算表明,为了获得良好的系统输出,开关的导通电阻必须尽可能小;为了获得最大的能量输出或最大的电压输出,所需采用的匹配负载电阻不同;多Blumlein层叠...
关键词：高压脉冲产生器 平行板传输线 层叠Blumlein结构 
GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究被引量：12
《光子学报》2007年第3期405-411,共7页阮驰 赵卫 陈国夫 朱少岚 杨宏春 阮成礼 
国家自然科学基金重大项目(10390161)资助
利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)及其掺杂材料制作的光导开关具有很好的时间响应及高功率输出特性.比较了这两种材料制作的不同电极间隙类型的光导开关的开关时间响应速度、导通光能与饱和触发激光能量、线性与...
关键词：光导开关 砷化镓 磷化铟 化合物半导体 
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