国家重点基础研究发展计划(2010CBxxxx05)

作品数：2被引量：2H指数：1
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A Ku-band wide-tuning-range high-output-power VCO in InGaP/GaAs HBT technology被引量：1
《Journal of Semiconductors》2015年第6期156-160,共5页张金灿 张玉明 吕红亮 张义门 刘博 张雷鸣 向菲 
Project supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CBxxxx05);the Advance Research Project of China(No.51308xxxx06);the Advance Research Foundation of China(No.9140A08xxxx11DZ111);Doctoral Scientific Research Foundation of Henan University of Science and Technology(No.400613480011);the Foundation of He’nan Educational Commettee(No.15A510001)
A fully integrated Ku-band voltage controlled oscillator （VCO） is presented in an InGaP/GaAs hetero- junction bipolar transistor （HBT） technology. To achieve the wide tuning range （TR）, the VCO employs a Colpitt...
关键词：voltage controlled oscillator InGaP/GaAs HBT Ku band wide tuning range high output power 
A broadband regenerative frequency divider in InGaP/GaAs HBT technology被引量：1
《Journal of Semiconductors》2014年第7期139-142,共4页张金灿 张玉明 吕红亮 张义门 刘敏 钟英辉 师政 
supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CBxxxx05);the Advance Research Project of China(No.51308xxxx06);the Advance Research Foundation of China(No.9140A08xxxx11DZ111)
A dynamic divide-by-two regenerative GaP/GaAs heterojunction bipolar transistors （HBTs） frequency divider （RFD） is presented in a 60-GHz-fT Intechnology. To achieve high operation bandwidth, active loads instead o...
关键词：regenerative frequency divider InGaP/GaAs HBT active loads BROADBAND 
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