国家自然科学基金(Y107055)

作品数：2被引量：2H指数：1
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相关机构：浙江大学中佛罗里达大学中国电子科技集团第五十八研究所江南大学更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《传感技术学报》更多>>
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Design Analysis of a Novel Low Triggering Voltage Dual Direction SCR ESD Device in 0.18μm Mixed Mode RFCMOS Technology被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2164-2168,共5页朱科翰 于宗光 董树荣 韩雁 
the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.BK2007026);the Natural Science Foundation of Zhejiang Province(No.Y107055)~~
A novel SCR on-chip ESD device is proposed to protect IC chips against ESD stressing in two opposite direc- tions. The triggering voltages of four types of dual direction SCRs （DDSCR） are compared and analyzed, pMOS...
关键词：electrostatic discharge dual direction SCR SNAPBACK 
MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模被引量：1
《传感技术学报》2008年第2期361-364,共4页崔强 韩雁 董树荣 刘俊杰 斯瑞珺 
浙江省新苗人才计划资助(“XinMiao Project of Science and Technology Department of Zhejiang Province”);浙江省自然科学基金资助项目(Zhejiang Province Natural Science Foundation)(Y107055)
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MO...
关键词：MOS 二次击穿 电路级 宏模块 建模 
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