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氟掺杂氧化锡薄膜电活性缺陷密度的太赫兹谱探测
《井冈山大学学报（自然科学版）》2021年第4期76-80,共5页郭利桃 喻小香 李真瑞 刘宇安 
江西省教育厅科技计划项目(GJJ160743)。
从理论上分析了电场应力前后氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜的能带结构和传导机理,提取了应力前后FTO薄膜的太赫兹电导率。采用Drude模型对应力前的FTO薄膜太赫兹(THz)电导进行了仿真;采用了Hopping模型对应力后的THz电导进行了仿真,实验与仿真...
关键词：FTO 陷阱密度 THz电导谱 
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