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二极管的工艺设计理论被引量：1
《科技视界》2014年第7期93-93,264,共2页赵永红 
二极管P-N结的击穿电压特性不仅是二极管本事的重要参数，也是设计半导体器件设计的基础。而半导体P-N结击穿主要以齐纳击穿和雪崩击穿两种形式。而产生击穿的主要原因是，在强电场的作用下大大地增加了导带电子和满带空穴的数目，引起...
关键词：设计理论 二极管 雪崩击穿 工艺 P-N结 反向击穿电压 电压特性 器件设计 
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