无锡新洁能股份有限公司

作品数：3被引量：5H指数：2
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发文领域：电子电信经济管理一般工业技术文化科学更多>>
发文主题：导电类型功率半导体器件元胞金属外延层更多>>
发文期刊：《东南大学学报（自然科学版）》《电子元件与材料》《电子器件》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金江苏省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
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一种具有子沟槽结构的屏蔽栅MOSFET的研究被引量：2
《电子元件与材料》2022年第6期621-626,共6页朱晨凯 赵琳娜 顾晓峰 周锦程 杨卓 
国家自然科学基金(61504049);江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_1855);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51510)。
为了降低屏蔽栅沟槽型(SGT,Shield Gate Trench)MOSFET的导通电阻、提高器件的品质因数,通常使用增加屏蔽栅沟槽深度和密度的方法,但是在刻蚀高密度深沟槽时会使晶圆产生严重的翘曲现象。因此,提出一种100 V具有子沟槽(ST,Sub-Trench)的...
关键词：屏蔽栅沟槽型MOSFET 电荷平衡 击穿电压 特征导通电阻 品质因数 
DBC陶瓷基板表面覆铜的熔断电流模型研究被引量：2
《电子器件》2019年第1期14-18,共5页宋海洋 刘斯扬 魏家行 孙伟锋 朱久桃 
国家自然科学基金项目(61674030;61604038);江苏省自然科学基金项目(BK20160691)
为了优化设计直接覆铜(Direct Bonded Copper,DBC)陶瓷基板的表面覆铜层尺寸,并评估覆铜层的极限电流能力,利用有限元仿真分析方法,研究了不同尺寸的DBC陶瓷基板表面覆铜达到熔点时的电流变化,建立了DBC陶瓷基板表面覆铜的熔断电流模型...
关键词：功率模块 熔断电流模型 FEM DBC陶瓷基板 
高功率单相桥模块封装热特性研究及优化被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》2016年第5期928-933,共6页王宁 宋海洋 魏家行 刘斯扬 孙伟锋 朱久桃 余传武 朱袁正 
港澳台国际合作计划资助项目(2014DFH10190);中国博士后基金资助项目(2015M580376);江苏省博士后科研资助计划资助项目(1501010A)
为了提升高功率应用下单相桥模块的热可靠性,利用有限元仿真分析方法,研究了模块的封装热特性,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的准确性和可靠性.结果表明:单相桥模块结壳热阻为0.185 3℃/W,封装7层结构中直接覆铜基板(DBC)陶瓷层...
关键词：单相桥模块 高功率 热阻 功率端子 引线 
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