LINEARITY

作品数：173被引量：141H指数：5
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An inductorless multi-mode RF front end for GNSS receiver in 55 nm CMOS
《Journal of Semiconductors》2015年第10期142-148,共7页罗彦彬 马成炎 甘业兵 钱敏 叶甜春 
An inductorless multi-mode RF front end for a global navigation satellite system （GNSS） receiver is presented. Unlike the traditional topology of a low noise amplifier （LNA）, the inductorless current-mode noise- c...
关键词：RF front end noise figure （NF） input matching LINEARITY GNSS receiver 
On-chip power-combining techniques for watt-level linear power amplifiers in 0.18 μm CMOS
《Journal of Semiconductors》2015年第9期105-114,共10页任志雄 张科峰 刘览琦 李聪 陈晓飞 刘冬生 刘政林 邹雪城 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61076030)
Three linear CMOS power amplifiers （PAs） with high output power （more than watt-level output power） for high data-rate mobile applications are introduced. To realize watt-level output power, there are two 2.4 GHz ...
关键词：CMOS LINEARITY power combiner TRANSFORMERS power amplifier 
A wideband current-commutating passive mixer for multi-standard receivers in a 0.18μm CMOS
《Journal of Semiconductors》2013年第1期74-82,共9页包宽 樊祥宁 李伟 王志功 
Project supported by the National Science and Technology Major Project (No.2010ZX03007-002-01);the State Key Development Program for Basic Research of China (No.2010CB327404)
This paper reports a wideband passive mixer for direct conversion multi-standard receivers.A brief comparison between current-commutating passive mixers and active mixers is presented.The effect of source and load imp...
关键词：CMOS current-commutating passive mixer LINEARITY source and load impedance multi-standard receiver WIDEBAND 
A 3-5GHz CMOS UWB power amplifier with±8ps group delay ripple
《Journal of Semiconductors》2010年第4期76-79,共4页席天佐 黄鲁 郑重 冯立松 
supported by the National High Technology Research and Development Program of China(No.2007AA01Z2b2).
A differential power amplifier （PA）, designed using the linear-phase filter model, for a BPSK modulated ultra-wideband （UWB） system operating in the 3-5 GHz frequency range is presented. The proposed PA was fabric...
关键词：PA UWB group delay LINEARITY 
Design of Low-Voltage Low Noise Amplifiers with High Linearity被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1364-1369,共6页曹克 杨华中 汪蕙 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 2 5 10 1,90 2 0 70 0 1,90 3 0 70 16) ;国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G19990 3 2 90 3 );国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 3 AA1Z13 90 )资助项目~~
A CMOS radio frequency low noise amplifier with high linearity and low operation voltage of less than 1.0V is presented.In this circuit,an auxiliary MOSFET in the triode region is used to boost the linearity.Simulatio...
关键词：LOW-VOLTAGE radio frequency CMOS low noise amplifier LINEARITY 
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