METAL-OXIDE

作品数：63被引量：105H指数：5
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
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相关期刊：《eScience》《Science China Materials》《Chinese Journal of Chemical Engineering》《Journal of Electronics(China)》更多>>
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A NOVEL PHYSICAL-LAYER TRANSCEIVER USED IN USB2.0 SERIAL DATA LINK被引量：1
《Journal of Electronics(China)》2006年第5期736-740,共5页Li Haoliang He Lenian Wang Zi Yan Xiaolang 
The paper proposes a novel transceiver in physical layer for high-speed serial data link based upon Universal Serial Bus (USB) 2.0, comprising transmitter and receiver. In the design, transmitter contains pre-and-main...
关键词：Complementary Metal-Oxide Semiconductor（CMOS） transceiver Physical layer High-speed Universal Serial Bus （USB） 2.0 
FABRICATION OF STRAINED-Si CHANNEL P-MOSFET's ON ULTRA-THIN SiGe VIRTUAL SUBSTRATES
《Journal of Electronics(China)》2006年第2期266-268,共3页Li Jingchun Yang Mohua Tan Jing Mei Dinglei Zhang Jing Xu Wanjing 
In the ultra-thin relaxed SiGe virtual substrates, a strained-Si channel p-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (p-MOSFET) is presented. Built on strained-Si/240nm relaxed-Si0.8 Ge0.2/ 100nm Low Temp...
关键词：STRAINED-SI Virtual SiGe substrates p-type Metal-Oxide Semiconductor （MOS） Field-EffectTransistor （FET） 
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