TURN-OFF

作品数：30被引量：47H指数：4
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相关领域：电子电信理学更多>>
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An integrated split and dummy gates MOSFET with fast turn-off and reverse recovery characteristics
《Chinese Physics B》2023年第6期545-550,共6页陈伟中 牟柳亭 秦海峰 张红升 韩郑生 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grants No. 61604027 and 61704016);the Chongqing Natural Science Foundation, China (Grant No. cstc2020jcyj-msxmX0550)。
A power MOSFET with integrated split gate and dummy gate(SD-MOS) is proposed and demonstrated by the TCAD SENTAURUS.The split gate is surrounded by the source and shielded by the dummy gate.Consequently,the coupling a...
关键词：MOSFET split gate dummy gate TURN-OFF and reverse recovery 
Ultra-high voltage 4H-SiC gate turn-off thyristor for low switching time被引量：1
《Chinese Physics B》2019年第12期303-310,共8页Qing Liu Hong-Bin Pu Xi Wang 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.51677149)
An ultra-high voltage 4H-silicon carbide(Si C) gate turn-off(GTO) thyristor for low switching time is proposed and analyzed by numerical simulation. It features a double epitaxial p-base in which an extra electrical f...
关键词：4H-SIC gate turn-off(GTO) thyristor TURN-ON TURN-OFF 
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