TURN-OFF

作品数：30被引量：47H指数：4
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相关期刊：《Science China Chemistry》《High Voltage》《石油地球物理勘探》《化学试剂》更多>>
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An Improved Behavioral Model for High-voltage and High-power IGBT Chips被引量：3
《CSEE Journal of Power and Energy Systems》2023年第1期284-292,共9页Yixuan Yang Zhibin Zhao Cheng Peng Xuebao Li Zhiyu Sun Xiang Cui 
This work was supported by the National Natural Science Foundation of China-State Grid Corporation Joint Fund for Smart Grid(No.U1766219).
High-voltage and high-power IGBT chips have a noticeable carrier storage effect,which is related to the load current.However,the research on the carrier storage effect of existing IGBT behavior models is insufficient....
关键词：Carrier storage effect high voltage IGBT behavioral model turn-off transient 
Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance
《Chinese Physics B》2017年第3期582-587,共6页喻巧群 陆江 刘海南 罗家俊 李博 王立新 韩郑生 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61404161)
We present a detailed study of a superjunction （S J） nanoscale partially narrow mesa （PNM） insulated gate bipolar transistor （IGBT） structure. This structure is created by combining the nanoscale PNM structure a...
关键词：insulated gate bipolar transistor （IGBT） partially narrow mesa （PNM） superjunction （S J） turn-offloss 
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