K-BAND

作品数：20被引量：18H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：邹权刘晓燕康开轩吴云龙邹正波更多>>
相关机构：哈尔滨工业大学厦门大学地壳运动与地球观测实验室中国地震局地震研究所更多>>
相关期刊：《Computers, Materials & Continua》《Journal of Semiconductors》《大地测量与地球动力学》《The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications》更多>>
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Design of on-chip 15-18 GHz ultra low noise amplifier被引量：1
《The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications》2014年第4期15-18,31,共5页GAO Yuan ZHANG Bao-jun ZHANG Bo 
With rapid development communication system, high signal to noise ratio （SNR） system is required. In high frequency bandwidth, high loss, low Q inductors and high noise figure is a significant challenge with on-chip...
关键词：LNA GAAS P-HEMT MMIC K-BAND 
A 4 W K-band GaAs MMIC power amplifier with 22 dB gain
《Journal of Semiconductors》2010年第3期70-73,共4页黄正亮 郁发新 郑耀 
A 4 W K-band AIGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor （PHEMT） monolithic microwave integrated circuit （MMIC） high power amplifier （PA） is reported. This amplifier is designed to fully m...
关键词：K-BAND power amplifier MMIC PHEMT 
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