PBTI

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高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)
《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期637-641,共5页李哲 吕垠轩 何燕冬 张钢刚 
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助
对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋...
关键词：正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质 绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI MOSFET) 退化 应力诱导漏电流(SILC) 
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