PBTI

作品数：16被引量：3H指数：1
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Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks
《Science China(Information Sciences)》2020年第2期248-250,共3页Hong YANG Luwei QI Yanbo ZHANG Bo TANG Qianqian LIU Hao XU Xueli MA Xiaolei WANG Yongliang LI Huaxiang YIN Junfeng LI Huilong ZHU Chao ZHAO Wenwu WANG Tianchun YE 
financially supported by National Key Project of Science and Technology of China(Grant Nos.2017ZX02315001-002,2019ZX02303).
Dear editor,High k/metal gate(HKMG)stacks with fully gatelast processing have become the primary solution for sub-22-nm volume manufacturing with the development of complementary oxide semiconductor(CMOS)technology[1]...
关键词：red Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks ALD FINFET 
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