SUPERJUNCTION

作品数：18被引量：21H指数：3
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相关作者：李肇基方健乔明黄淮吴郁更多>>
相关机构：电子科技大学北京工业大学更多>>
相关期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》《The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications》《Chinese Physics B》更多>>
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A review of manufacturing technologies for silicon carbide superjunction devices被引量：1
《Journal of Semiconductors》2021年第6期19-24,共6页Run Tian Chao Ma Jingmin Wu Zhiyu Guo Xiang Yang Zhongchao Fan 
supported by the National Key Research and Development Program(No.2016YFB0400500);the Key Research and Development Projects in Guangdong Province(No.2019B010144001)。
Superjunction technology is believed to reach the optimal specific on-resistance and breakdown voltage trade-off.It has become a mainstream technology in silicon high-voltage metal oxide semiconductor field effect tra...
关键词：silicon carbide(SiC) power semiconductor devices superjunction(SJ) process development 
An analytical model of the electric field distributions of buried superjunction devices
《Journal of Semiconductors》2013年第6期68-71,共4页黄海猛 陈星弼 
An analytical model of the electric field distributions of buried superjunction structures,based on the charge superposition method and Green＇s function approach,is derived.An accurate approximation of the exact anal...
关键词：analytical model superjunction devices electric field distributions breakdown voltage 
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