A-PLANE

作品数：19被引量：7H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关机构：东南大学更多>>
相关期刊：《Chinese Physics Letters》《Chinese Optics Letters》《Science China(Technological Sciences)》《Chinese Physics B》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 基金=国家重点基础研究发展计划（2007CB307004）x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Nonpolar a-plane light-emitting diode with an in-situ SiN_x interlayer on r-plane sapphire grown by metal-organic chemical vapour deposition
《Chinese Physics B》2011年第1期639-642,共4页方浩 龙浩 桑立雯 齐胜利 熊畅 于彤军 杨志坚 张国义 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.60676032,60776041,60976009 and U0834001);the National Basic Research program of China(Grant No.2007CB307004)
We report on the growth and fabrication of nonpolar a-plane light emitting diodes with an in-situ SiNx interlayer grown between the undoped a-plane GaN buffer and Si-doped GaN layer. X-ray diffraction shows that the c...
关键词：metal-organic chemical deposition III-NITRIDES NONPOLAR light emitting diodes 
Effects of Ⅴ/Ⅲ ratio on species diffusion anisotropy inthe MOCVD growth of non-polar a-plane GaN films
《Chinese Physics B》2010年第1期520-523,共4页赵璐冰 于彤军 吴洁君 杨志坚 张国义 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60676032, 60577030 and 60476028);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2007CB307004);the National Science Foundation for Post-doctoral Scientists of China (Grant No. 20060400018)
Non-polar a-plane （1120） GaN films have been grown on r-plane （1102） sapphire substrates by metal organic chemical vapour deposition. The influences of V/III ratio on the species diffusion anisotropy of a-plane Ga...
关键词：non-polar GaN V/III ratio ANISOTROPY migration length 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部