HOT-CARRIER

作品数：18被引量：14H指数：3
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Model of hot-carrier induced degradation in ultra-deep sub-micrometer nMOSFET
《Chinese Physics B》2014年第5期525-529,共5页雷晓艺 刘红侠 张月 马晓华 郝跃 
Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2011CBA00606);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61106106)
The degradation produced by hot carrier （HC） in ultra-deep sub-micron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor （nMOSFET） has been analyzed in this paper. The generation of negatively charged int...
关键词：n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor hot carder DEGRADATION lifetimemodel 
An Improved Method to Extract Generation of Interface Trap in Hot-Carrier-Stressed LDD n-MOSFET
《Journal of Semiconductors》2003年第8期803-808,共6页杨国勇 毛凌锋 王金延 霍宗亮 王子欧 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展规划资助项目(No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 )~~
A new improved technique,based on the direct current current voltage and charge pumping methods,is proposed for measurements of interface traps density in the channel and the drain region for LDD n MOSFET.This tech...
关键词：hot  carrier stress LDD ultra  thin gate oxide two step degradation 
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