NON-PLANAR

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相关领域：理学更多>>
相关作者：欧文巩轲钱鹤李明更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所清华大学更多>>
相关期刊：《Plasma Science and Technology》《Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering》《Acta Mathematica Sinica,English Series》《Chemical Research in Chinese Universities》更多>>
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The total ionizing dose effects of non-planar triple-gate transistors
《Journal of Semiconductors》2013年第9期49-52,共4页刘诗尧 贺威 曹建民 黄思文 
supported by the National Science Foundation for Young Scholars of China(No.11105092);the Shenzhen Science and Technology Development Funds(Nos.JC201005280565A,JC201005280558A,GJHS20120621142118853)
This paper investigates the total ionizing dose response of different non-planar triple-gate transistor structures with different fin widths. By exposing the pseudo-MOS transistor to different amounts of radiation, di...
关键词：SILICON-ON-INSULATOR total ionizing dose effects pseudo-MOS non-planar triple-gate transistors 
A Novel Non-Planar Cell Structure for Flash Memory
《Journal of Semiconductors》2002年第11期1158-1161,共4页欧文 李明 钱鹤 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (No.G2 0 0 0 0 3 65 )~~
Proposed herein is a novel non planar cell structure for flash memory which has been fabricated to achieve high programming speed with low operating voltage.This memory cell preserves a simple stacked gate structure ...
关键词：flash memory non  planar structure programming speed 
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