POST-OXIDATION

作品数：5被引量：5H指数：1
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Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO_2 after high temperature oxidation被引量：1
《Journal of Semiconductors》2015年第9期58-61,共4页李妍月 邓小川 刘云峰 赵艳黎 李诚瞻 陈茜茜 张波 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61234006);the State Grid of China(No.sgri-wd-71-14-003)
The interface properties of 4H-SiC metal oxide semiconductor （MOS） capacitors with post-oxidation annealing （POA） in nitric oxide （NO） ambient after high temperature （1300 ℃） oxidation have been investigated ...
关键词：C-V characteristics 4H-SiC MOS post-oxidation annealing SiC/SiO2 
Improvement of InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers by post-oxidation annealing被引量：1
《Chinese Optics Letters》2012年第12期68-70,共3页晏长岭 邓昀 李鹏 宋小卯 史建伟 
supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos.60676025 and 61076038
InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers （VCSELs） are fabricated by a thermal selective wet- oxidation confinement technique. Post-oxidation annealing in a nitrogen environment at high temperatures is the...
关键词：OXIDATION Surface emitting lasers Testing 
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