RADFETS

作品数：4被引量：1H指数：1
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相关机构：防化研究院中国科学院大学中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
相关期刊：《Science China(Technological Sciences)》《防化研究》《核技术》《原子能科学技术》更多>>
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质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究被引量：1
《核技术》2022年第1期37-43,共7页马函 孙静 何承发 荀明珠 
国家自然科学基金(No.11975305)资助。
针对辐射敏感晶体管(Radiation Sensitive Field-Effect Transistors,RADFETs)在地面标定使用(60)^Coγ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题,进行了10 MeV质子和(60)^Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验。采用中...
关键词：RADFETS 质子辐照 γ剂量标定 陷阱电荷分离 
高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究
《原子能科学技术》2021年第12期2175-2182,共8页马函 孙静 何承发 荀明珠 
Supported by National Natural Science Foundation of China(11975305);West Light Foundation of Chinese Academy of Sciences(2017-XBQNXZ-B-008)。
通过室温和高温条件下的辐照试验,研究了100 nm和400 nm栅氧厚度PMOS剂量计(RADFETs)在高温下的辐照响应。实验剂量率为3 rad(Si)/s和0.098 rad(Si)/s,辐照总剂量达80 krad(Si)。采用中带电压法进行氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的分...
关键词：高温环境 RADFETS 辐照响应 
The effect of the boron-ions implantation on the performance of RADFETs
《Science China(Technological Sciences)》2016年第11期1785-1790,共6页LIU HongRui WANG ShuaiMin ZHANG JinWen 
supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2015CB352100)
In this work, we studied on the boron-ions implantation, including the implant dose and post-annealing temperature on the performance of PMOS radiation field-effect transistors(RADFETs) in experimental. The possible t...
关键词：DOSIMETERS PMOS RADFETs implant dose post-annealing temperature real time auto-measurement system radiation effects 
RADFETsγ射红剂量探测器辐射性能研究
《防化研究》2000年第2期25-29,共5页刘虹宇 马露 
简要介绍了一种新型ＲＡＤＦＥＴｓγ剂量探测器的工作原理以及辐射性能研究。
关键词：RADFETsγ射线剂量探测器 辐射性能 原理 
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