异质栅

作品数：16被引量：15H指数：2
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全耗尽异质栅单Halo SOI MOSFET二维模型
《电子学报》2007年第2期212-215,共4页李尊朝 蒋耀林 吴建民 
国家自然科学基金(No.NSFC60472003);国家重点基础研究发展计划项目(No.2005CB321701)
为了抑制深亚微米SOI MOSFET的短沟道效应,并提高电流驱动能力,提出了异质栅单Halo SOI MOS-FET器件结构,其栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,并在沟道源端一侧引入Halo技术.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维Po...
关键词：MOSFET 异质栅 解析模型 阈值电压 
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