倒相器

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CMOS／SIMOX例相器的抗总剂量辐照特性
《微电子学与计算机》1995年第2期37-39,43,共4页竺士炀 林成鲁 李金华 
对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ例相器在不同偏置条件下进行了６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量辐照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。
关键词：CMOS SIMOX 倒相器 总剂量辐照 
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