导模法

作品数：54被引量：143H指数：6
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导模法生长的β-Ga_(2)O_(3)单晶的位错腐蚀坑显露面
《半导体技术》2022年第12期956-959,971,共5页张胜男 王健 霍晓青 王英民 周金杰 程红娟 
β-Ga_(2)O_(3)单晶作为高压大功率器件的衬底,其位错密度直接影响器件的漏电特性,位错腐蚀坑显露面与外延生长密切相关。β-Ga_(2)O_(3)单晶属于单斜晶系,对称性低,研究不同晶面位错腐蚀坑的形状与显露面难度较高。对采用导模(EFG)法...
关键词：β-Ga_(2)O_(3)单晶 位错 腐蚀坑 显露面 表面能 
导模法生长大尺寸高质量β-Ga2O3单晶被引量：5
《半导体技术》2018年第8期622-626,共5页练小正 张胜男 程红娟 齐海涛 金雷 徐永宽 
国家自然科学基金资助项目(51702297)
以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模（EFG）法生长了2英寸（1英寸=2.54 cm）未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了...
关键词：β-Ga2O3单晶 宽带隙半导体 导模(EFG)法 晶体生长 透过率 
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