练小正

作品数：11被引量：17H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：单晶氧化镓坩埚单晶生长籽晶更多>>
发文领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《压电与声光》《人工晶体学报》《天津科技大学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金天津市科技计划更多>>
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Si/Mg/Fe掺杂β-Ga2O3单晶拉曼光谱表征及分析被引量：1
《半导体技术》2020年第2期158-162,共5页张胜男 练小正 张颖 王健 刘卫丹 程红娟 
β-Ga2O3单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺。采用导模法分别制备了非故意掺杂β-Ga2O3单晶和Si/Mg/Fe掺杂的β-Ga2O3单晶,对样品进行了拉曼光谱测试和电学性能测试,研...
关键词：β-Ga2O3单晶 拉曼光谱 电学性能 非故意掺杂 Si/Mg/Fe掺杂 
β-Ga_2O_3单晶腐蚀坑形貌研究被引量：1
《微纳电子技术》2019年第6期435-439,共5页杨丹丹 金雷 张胜男 练小正 孙科伟 程红娟 徐永宽 
国家自然科学基金资助项目(51702297);天津市科技计划项目(17YFZCGX00520;17ZXCLGX00020)
详细介绍了(100)、(010)和(■01)三种不同晶面的β-Ga_2O_3单晶腐蚀坑形貌状态及不同形貌的演变过程。所用β-Ga_2O_3单晶样品均为导模法(EFG)制备,且经过研磨、化学机械抛光(CMP),表面质量良好。以质量分数为85%的分析纯H_3PO_4溶液为...
关键词：导模法(EFG) β-Ga2O3单晶 位错密度 腐蚀坑形貌 扫描电子显微镜(SEM) 
β-Ga_2O_3体单晶X射线光电子能谱分析
《人工晶体学报》2019年第1期8-12,共5页程红娟 张胜男 练小正 金雷 徐永宽 
国家自然科学基金(51702297)
通过对导模法制备的非故意掺杂、Si掺杂β-Ga_2O_3晶体和Si掺杂后退火处理的β-Ga_2O_3晶体进行了X射线光电子能谱分析(XPS),对比分析不同样品的Ga3d、Ga2p、O1s特征峰位和峰强度变化,并结合文献报道中β-Ga_2O_3薄膜及单晶材料的报道结...
关键词：β-Ga2O3晶体 导模法 X射线光电子能谱分析 特征峰 
导模法生长大尺寸高质量β-Ga2O3单晶被引量：5
《半导体技术》2018年第8期622-626,共5页练小正 张胜男 程红娟 齐海涛 金雷 徐永宽 
国家自然科学基金资助项目(51702297)
以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模（EFG）法生长了2英寸（1英寸=2.54 cm）未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了...
关键词：β-Ga2O3单晶 宽带隙半导体 导模(EFG)法 晶体生长 透过率 
大尺寸β-Ga2O3晶片的机械剥离及性能被引量：1
《微纳电子技术》2018年第6期450-454,共5页练小正 张胜男 程红娟 王健 齐海涛 陈建丽 徐永宽 
天津市应用基础与前沿技术研究青年基金资助项目(15JCQNJC03700)
针对β—Ga2O3单晶易解理的特性，研究了晶体形状对其（100）主解理面的机械剥离影响。结果表明，棱角较为平缓的体单晶机械剥离时容易出现碎裂，而棱角尖锐的体单晶极易实现机械剥离，并且成功剥离出尺寸大于30mm×10mm的β-Ga2O3单晶...
关键词：β-Ga2O3 单晶 晶体加工 机械剥离 表面质量 
β-Ga_2O_3(100)面的CMP研究及优化被引量：5
《微纳电子技术》2017年第3期208-212,共5页徐世海 李晖 高飞 练小正 朱磊 陈阳 
主要研究了Czochralski法生长的β-Ga_2O_3单晶片的化学机械抛光(CMP)。采用酸性硅溶胶溶液作为抛光液,对经过切割、机械抛光后的10 mm×10 mmβ-Ga_2O_3单晶片进行了CMP实验。通过金相显微镜观察到4 h的抛光过程中,单晶片表面逐渐平坦...
关键词：氧化镓 化学机械抛光(CMP) 抛光液 平坦化 硅溶胶 
低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长技术研究
《河南科技》2016年第13期140-142,共3页张颖武 练小正 张政 程红娟 
β-Ga_2O_3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga_2O_3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga_2O_3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga_2O_3单晶生长技术进展,分析低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长方法。
关键词：β-Ga2O3 宽带隙 单晶 
镉气氛退火对CdS单晶材料性能的影响
《压电与声光》2016年第2期275-277,共3页李强 张颖武 司华青 练小正 程红娟 
国家重点研究项目
硫化镉(CdS)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试结果表明,镉气氛退火可使本征高阻的CdS单晶转变为低阻CdS材...
关键词：硫化镉(CdS) 单晶 镉气氛 退火 电学 光学 
大尺寸高质量GaSb单晶研究被引量：1
《人工晶体学报》2016年第4期901-905,共5页练小正 李璐杰 张志鹏 张颖武 程红娟 徐永宽 
采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成。通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶。此外...
关键词：GASB 垂直布里奇曼法 位错密度 覆盖剂 
大尺寸硒化镉单晶生长及性能表征被引量：4
《天津科技大学学报》2015年第6期34-37,共4页张颖武 练小正 程红娟 
硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.以硫化镉(CdS)晶片作为籽晶,采用物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸CdSe单晶,并对其晶体结构和光学性能进行了表征.EDS和Raman测试显示,在晶体生长初期形成了CdSe_xS_(1-x),随...
关键词：CD SE 大尺寸 单晶 PVT法 
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