徐世海

作品数：2被引量：8H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
发文主题：单晶片抛光化学机械抛光晶体氧化镓更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
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GaN单晶片的表面加工工艺研究被引量：3
《半导体技术》2018年第12期918-922,948,共6页李晖 高飞 徐世海 张嵩 徐永宽 程红娟 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404200);天津市科技计划资助项目(17ZXCLGX00020,17YFZCGX00520)
对硬脆材料氮化镓(GaN)单晶的机械研磨和化学机械抛光(CMP)加工工艺进行了研究。在机械研磨工艺中,研究了不同材料的研磨盘和不同粒径的磨料对GaN研磨时间的影响。实验结果表明,采用树脂铜盘和树脂锡盘将机械研磨时间缩短至1.5h,加工后...
关键词：氮化镓(GaN) 机械研磨 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 抛光速率 
β-Ga_2O_3(100)面的CMP研究及优化被引量：5
《微纳电子技术》2017年第3期208-212,共5页徐世海 李晖 高飞 练小正 朱磊 陈阳 
主要研究了Czochralski法生长的β-Ga_2O_3单晶片的化学机械抛光(CMP)。采用酸性硅溶胶溶液作为抛光液,对经过切割、机械抛光后的10 mm×10 mmβ-Ga_2O_3单晶片进行了CMP实验。通过金相显微镜观察到4 h的抛光过程中,单晶片表面逐渐平坦...
关键词：氧化镓 化学机械抛光(CMP) 抛光液 平坦化 硅溶胶 
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