有源驱动

作品数：50被引量：167H指数：8
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李璐蒋亚东于军胜刘式墉张彤更多>>
相关机构：吉林大学京东方科技集团股份有限公司电子科技大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
相关期刊：《新材料产业》《电气传动》《激光与光电子学进展》《电视技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 机构=北京交通大学x
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于有源箝位技术的SiC MOSFET串联均压有源驱动电路研究
《中国电机工程学报》2024年第16期6565-6577,I0023,共14页项鹏飞 郝瑞祥 王启丞 游小杰 徐云飞 袁帆 
国家重点研发计划项目(2022YFB2404100,2022YFB2404105)。
功率器件串联技术是实现高压应用的有效途径之一,而串联应用的主要制约因素是串联器件之间的动态均压问题。该文针对不均压条件下串联器件的关断行为进行了理论分析,探究不均压的产生机理,提出一种基于有源箝位技术的碳化硅金属-氧化物...
关键词：碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管 串联 有源箝位 均压控制 
SiC MOSFET有源驱动电路关断轨迹优化方法
《北京交通大学学报》2023年第5期126-135,共10页陈月清 郭希铮 部旭聪 郝瑞祥 游小杰 
中央高校基本科研业务费专项资金(2022JBXT006);国家重点研发计划(2022YFB2404105)。
SiC MOSFET的快速开关过程带来开关振荡、电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)问题,多电平有源驱动电路通过调节开关过程中的驱动电压可以优化其关断轨迹.针对有源驱动电路中间电平选取及作用时间的优化选择问题,提出一种SiC MO...
关键词：SiC MOSFET 开关特性 有源驱动 轨迹预测模型 
提升桥式电路中SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路研究被引量：5
《中国电机工程学报》2022年第21期7922-7933,共12页李虹 邱志东 杜海涛 邵天骢 王作兴 
国家自然科学基金优秀青年基金项目(51822701);国家自然科学基金委员会–国家电网公司智能电网联合基金(U1866211);台达电力电子科教发展计划2021年重点项目(DREK2021004)。
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)以其低开关损耗、高工作频率、高开关速度等优点越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。然而,电路中寄生电感的存在...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管 电压尖峰和振荡 串扰 有源驱动 电磁干扰 
抑制瞬态电压电流尖峰和振荡的电流注入型SiC MOSFET有源驱动方法研究被引量：15
《中国电机工程学报》2019年第19期5666-5673,共8页冯超 李虹 蒋艳锋 赵星冉 杨志昌 
国家自然科学基金优秀青年科学基金项目(51822701);国家自然科学基金项目(U1866211)~~
为了满足电力电子系统高频、高效和高功率密度的需求,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。其开关过程中存在瞬态...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管 有源驱动 尖峰 振荡 电磁干扰 
a-Si：H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响被引量：5
《液晶与显示》2008年第5期572-577,共6页李云飞 王永生 张晓龙 刘宏宇 王刚 邵喜斌 何大伟 
国家自然科学基金资助项目(No.10644002)
对OLED两管a-Si∶H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计...
关键词：OLED 有源驱动 存储电容 充电率 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部