有源驱动

作品数:50被引量:167H指数:8
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相关机构:吉林大学京东方科技集团股份有限公司电子科技大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
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优化IGBT开关性能的自适应变电阻有源驱动电路研究
《太阳能学报》2024年第12期132-138,共7页周家民 黄连生 陈晓娇 窦盛 何诗英 张秀青 
国家自然科学基金(52207034);安徽省科技重大专项(202003a05020019)。
针对IGBT开通过程中的电流及电压振荡提出一种新型自适应IGBT有源栅极驱动电路(NAAGD)。该电路结合互补IGBT的电压电流信息进行开通驱动电阻的投切控制,可实现开通过程电流及电压振荡的抑制,且可自适应电压电流等级的变化。与现有有源...
关键词:绝缘栅双极型晶体管 自适应 损耗 有源栅极驱动 振荡 
基于有源箝位技术的SiC MOSFET串联均压有源驱动电路研究
《中国电机工程学报》2024年第16期6565-6577,I0023,共14页项鹏飞 郝瑞祥 王启丞 游小杰 徐云飞 袁帆 
国家重点研发计划项目(2022YFB2404100,2022YFB2404105)。
功率器件串联技术是实现高压应用的有效途径之一,而串联应用的主要制约因素是串联器件之间的动态均压问题。该文针对不均压条件下串联器件的关断行为进行了理论分析,探究不均压的产生机理,提出一种基于有源箝位技术的碳化硅金属-氧化物...
关键词:碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管 串联 有源箝位 均压控制 
提升桥式电路中SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路研究被引量:5
《中国电机工程学报》2022年第21期7922-7933,共12页李虹 邱志东 杜海涛 邵天骢 王作兴 
国家自然科学基金优秀青年基金项目(51822701);国家自然科学基金委员会–国家电网公司智能电网联合基金(U1866211);台达电力电子科教发展计划2021年重点项目(DREK2021004)。
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)以其低开关损耗、高工作频率、高开关速度等优点越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。然而,电路中寄生电感的存在...
关键词:碳化硅金属氧化物半导体场效应管 电压尖峰和振荡 串扰 有源驱动 电磁干扰 
改善SiC MOSFET开关特性的有源驱动电路研究被引量:4
《电气传动》2021年第16期21-26,共6页卢乙 李先允 王书征 何鸿天 周子涵 
江苏省重点研发计划项目(BE2018130);江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(SJCX19_0530);江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(SJCX19_0532)。
针对碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiCMOSFET)开关过程中存在的电流、电压过冲和振荡问题,首先对SiCMOSFET的开关过程进行详细分析,得出电流、电压过冲和震荡的产生机理,然后根据影响过冲和振荡的关键因素,分别提出了电流注入型、变...
关键词:碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiCMOSFET) 有源驱动电路 LTspice仿真软件 过冲 振荡 
基于亚阈值技术的AM-OLED驱动电路研究
《杭州师范大学学报(自然科学版)》2011年第4期354-358,共5页张慧熙 孙亚萍 王玉槐 
杭州师范大学钱江学院科研基金项目(2010QJJL10)
有机电致发光二极管(OLED)作为新一代显示技术,将来极有可能取代LCD.OLED的驱动电路也成为研究热点.在已有有源阵列OLED(AM-OLED)驱动技术的基础上,提出一种结构较为简单的基于亚阈值技术的栅压控制OLED有源驱动电路,经过HSPICE仿真,该...
关键词:AMOLED 有源驱动 亚阈值 
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