原子层外延

作品数：21被引量：16H指数：2
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半导体碳化硅的研究现状与应用前景被引量：4
《稀有金属》1995年第3期204-210,217,共8页李玉增 
综述了碳化硅的的结构、性能与应用现状；讨论了原子层外延法生长β－ＳｉＣ薄膜及液相外延法制备蓝色α－ＳｉＣ发光管工艺，展望了半导体碳化硅材料的发展前景。
关键词：碳化硅材料(α-SiC β-SiC) 原子层外延(ALE) 蓝色发光管(LED) 液相外延(LPE) 
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