噪声容限

作品数：39被引量：24H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张波贺雅娟卢文娟吴秀龙彭春雨更多>>
相关机构：电子科技大学安徽大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司华中科技大学更多>>
相关期刊：《计算技术与自动化》《山东建筑大学学报》《Science China Materials》《印制电路资讯》更多>>
相关基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金哈尔滨市科技创新人才研究专项资金教育部重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微电子学与计算机x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
65nm近阈值SRAM稳定性分析被引量：2
《微电子学与计算机》2017年第1期26-29,34,共5页于雨情 王天琦 齐春华 肖立伊 喻沛孚 
深圳市战略新兴产业发展专项资金资助(JCYJ20150625142543456);哈尔滨市科技创新人才研究专项资金(2015RAXXJ003)
本文通过将供电电压降低到近阈值区域实现低功耗的目的.现有标准6T-SRAM在近阈值电压下的性能非常差,且受工艺波动的影响很大.因此,本文提出了一种新型的8T-SRAM,与近阈值电压下的6管单元相比,其静态功耗基本相同,读噪声容限也增加了一...
关键词：低功耗 近阈值电压 读噪声容限 工艺波动 
高可靠性标准单元库性能参数的设计研究
《微电子学与计算机》2013年第10期114-118,共5页梁曼 蒋见花 
国家科技重大专项(2009ZX02306003;2009ZX02305013)
为了设计高可靠性标准单元库的性能参数,需要对其最基本的单元模块反相器的性能参数进行研究.平衡考虑延时特性、噪声容限和功耗等方面的因素,首先确定反相器晶体管PMOS和NMOS的宽度比,然后根据设计需要确定具体的晶体管尺寸,提出了一...
关键词：反相器 延时特性 噪声容限 功耗 电压传输特性(VTC) 
CMOS集成电路的使用方法
《微电子学与计算机》1977年第6期20-24,共5页陈明 汪鸿生 
CMOS是互补MOS(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)电路的英文缩写。它是一种微功耗器件。近几年来,采用许多新工艺、新技术,使元件密度和抗辐照能力有很大提高,因此很受重视,在国内外的发展更为迅速。但是,它有许多不同于其它逻辑元件...
关键词：CMOS 与非门 噪声容限 史密 印刷线路板 电压振荡 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部