栅控二极管

作品数：11被引量：11H指数：2
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栅控二极管R—G电流法表征SOI—MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1292-1297,共6页何进 Bich－Yen Nguyen 
摩托罗拉-北京大学联合研究资助项目~~
通过数值模拟手段，用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R－G电流大小的影响规律。结果表明：无论在FD还是在PD SOI MOS器件中，界面陷阱密度是决定R－G电流峰值的主要因素，硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器...
关键词：R-G电流 栅控二极管 界面陷阱 SOI MOSFET器件 敏感性 场效应晶体管 
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