等离子体氮化

作品数:44被引量:48H指数:4
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等离子体氮化SiO_2膜的电学性质
《军事通信技术》1990年第1期54-59,共6页蔡跃明 
本文研究了等离子体氮化 SiO_2膜的电学性质,在低温下获得了性能优良的介质膜。
关键词:SiO2 等离子体氮化 MOS 结构 电子陷阱 
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