等离子体损伤

作品数：15被引量：18H指数：2
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硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析
《电子工业专用设备》2015年第7期18-22,共5页胡顺欣 李明月 苏延芬 邓建国 
介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对Pt Si的影响。结果表明:RIE干法刻蚀...
关键词：硅微波双极晶体管 介质击穿/隧穿 等离子体充电效应 等离子体损伤 PtSi合金 
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