直拉硅

作品数：183被引量：288H指数：8
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直拉硅单晶生长过程中工艺参数对相变界面形态的影响被引量：3
《物理学报》2018年第21期366-377,共12页张妮 刘丁 冯雪亮 
国家自然科学基金重点项目(批准号:61533014);国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB360508);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20136118130001)资助的课题~~
为改善晶体相变界面形态,提高晶体品质,提出了一种融合浸入边界法(immersed boundary method,IBM)和格子Boltzmann法(lattice Boltzmann method, LBM)的二维轴对称浸入边界热格子Boltzmann模型来研究直拉法硅单晶生长中的相变问题.将相...
关键词：晶体生长 固-液相变 浸入边界法 格子Boltzmann法 
直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述被引量：18
《控制理论与应用》2017年第1期1-12,共12页刘丁 赵小国 赵跃 
国家自然科学基金重点项目(61533014);国家重点基础研究发展计划("973"计划)(2014CB360508);陕西省科技统筹创新工程计划(2016KTZDGY–03–03)资助~~
硅单晶是最重要的半导体材料,90%的半导体器件和集成电路芯片都制作在硅单晶上.随着集成电路技术的快速发展,对硅单晶的品质要求也不断提高.直拉法是生产硅单晶的主要方法,其科学原理与方法、生长技术与工艺、控制策略与手段一直是理论...
关键词：直拉硅单晶 过程建模 变量检测 过程控制 控制策略 
四极磁场下大尺寸直拉硅单晶生长三维数值模拟被引量：2
《材料热处理学报》2015年第9期238-243,共6页张晶 刘丁 赵跃 惠一龙 姜雷 
国家重点基础研究发展计划(2014CB360508);博士点基金优先发展领域(20136118130001)
在大尺寸直拉硅单晶生长过程中,针对水平磁场单方向磁力线分布引起的熔体温度分布非轴对称特征,提出了一种双磁力线结构的磁场——四极磁场。为准确描述非轴对称磁场作用下晶体生长过程,采用三维数值模拟方法,建立了四极磁场下二维/三...
关键词：直拉硅单晶 非轴对称性 四极磁场 数值模拟 
低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响被引量：4
《物理学报》2008年第2期1037-1042,共6页崔灿 马向阳 杨德仁 
教育部创新团队和新世纪优秀人才支持计划;国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2007CB6130403);浙江理工大学科研启动基金(批准号:0613265-Y)资助的课题.~~
研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃,然后在750℃退火64h过程中的氧沉淀行为.结果表明,Ramping对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用,且起始温度越低促进作用越强.这是因为在Ramping处理中,低温(450—650℃)热处理阶...
关键词：直拉硅 氧沉淀 退火 
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