射频开关

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Pasternack推出采用50欧姆反射式设计的单刀双掷高功率PIN二极管射频开关新产品线
《半导体信息》2018年第5期21-22,共2页
业界领先的射频、微波及毫米波产品供应商美国Pasternack公司推出一系列适用于发射和接收信号路由应用的单刀双掷（SPDT）高功率PIN二极管射频开关新产品。这些产品的典型用途包括雷达系统、电子战、基站基础设施、中继器、军用／微波...
关键词：PIN二极管 射频开关 单刀双掷 产品线 高功率 反射式设计 移动无线电 欧姆 
MACOM推出全新宽带高速SPDT开关
《半导体信息》2018年第4期26-27,共2页
MACOM推出其享誉业界的高性能射频开关组合中的最新产品。全新基于砷化镓的SPDTMASW系列开关经过优化，具有同类最佳的高速开关功能和宽带频率覆盖范围，适用于卫星通信、5G无线、测试和测量（T＆M）、电子战和微波无线电应用。
关键词：SPDT开关 宽带 射频开关 频率覆盖 开关功能 卫星通信 无线电 砷化镓 
日本东芝公司推出最新射频绝缘体上硅(SOI)技术
《半导体信息》2015年第6期33-33,共1页科信 
东芝电子公司欧洲公司近期发布了新一代绝缘体上硅技术,命名为TarfSOI,升级后的新技术可以应用于射频开关。射频开关集成电路,例如新款单极12掷开关,就是采用新型TaRF8工艺制成的,据称在2.7GHz条件下具有行业内最低水平的插入损耗,仅为0...
关键词：绝缘体上硅 SOI 插入损耗 东芝公司 射频开关 欧洲公司 传输器 移动通信设备 智能电话 手机应用 
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