SPDT开关

作品数:29被引量:24H指数:2
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相关机构:南京电子器件研究所电子科技大学东南大学空军工程大学更多>>
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基于微组装工艺SPDT开关研究与设计
《应用物理》2022年第4期205-212,共8页彭宇 刘宁川 程林 张洪 
随着通信技术的发展,要求通信设备向小型化发展,而微组装工艺技术是目前设备小型化的重要手段。本文详细设计了基于微组装的SPDT开关,利用HFSS和ADS仿真工具对SPDT开关进行优化仿真,仿真结果较好,插损小于0.15 dB,隔离度大于49 dB。从...
关键词:微组装 SPDT开关 共仿真 
一种低插损高隔离度毫米波SPDT开关被引量:1
《微电子学》2021年第2期216-220,共5页彭雄 刘韬 陈昆 乔哲 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802011503)。
基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作于28 GHz的对称型单刀双掷(SPDT)开关。采用串并联拓扑结构实现高隔离度,通过MOS管与电感器构成的开关电感进行LC阻抗匹配,从而实现了低插入损耗和较小芯片面积。开关管采用悬浮衬底设计,减小了插入损...
关键词:SPDT开关 开关电感 浮体 CMOS工艺 
基于0.13μm CMOS工艺的K波段SPDT开关
《微电子学》2019年第4期487-490,496,共5页曹志远 何进 李海华 王豪 常胜 黄启俊 
国家自然科学基金资助项目(61774113,61574102,61404094);中央高校基本科研资助项目(2042014kf0238);中央高校基本科研业务费专项(重大培育项目)资金资助项目(2042017gf0052);中国博士后科学基金资助项目(2012T50688)
基于130 nm CMOS工艺,设计了一种24 GHz工作频率的单刀双掷(SPDT)开关。该开关基于π型阻抗匹配网络,将浮体技术和堆叠晶体管结构应用于开关的并联臂、串联臂,实现了低插入损耗、高隔离度和高线性度。仿真结果表明,该SPDT开关的插入损耗...
关键词:单刀双掷开关 CMOS工艺 浮体技术 堆叠晶体管 
CMOS高线性度非对称式SPDT开关的设计
《科技风》2019年第12期3-4,共2页王涛 周明珠 王博威 
介绍了一种具有高线性度非对称式单刀双掷开关,本电路在传统对称式电路结构的基础上进行优化,对称式结构的其中一条支路上增加可变阻抗模块,这种非对称式结构可以满足开关在发射模式下对高功率处理容量的要求。该非对称式工作在15GHz时...
关键词:CMOS 高功率增益 两路对称 功分器 
一种大功率高隔离度射频SPDT开关的设计被引量:1
《科学与信息化》2018年第26期26-27,共2页王伟 宋家友 
PIN二极管(以下简称PIN管)被广泛地应用于RF、UHF和Microwave circuits中。在半双工射频通信系统中,PIN管的特殊阻抗特性,使其成为单刀双掷(缩写SPDT)开关的重要组成部分,并越来越多地用于接收和发射的切换系统中。本文首先介绍了PIN管...
关键词:半双工 偏置 SPDT 大功率 高隔离度 
MACOM推出全新宽带高速SPDT开关
《半导体信息》2018年第4期26-27,共2页
MACOM推出其享誉业界的高性能射频开关组合中的最新产品。全新基于砷化镓的SPDTMASW系列开关经过优化,具有同类最佳的高速开关功能和宽带频率覆盖范围,适用于卫星通信、5G无线、测试和测量(T&M)、电子战和微波无线电应用。
关键词:SPDT开关 宽带 射频开关 频率覆盖 开关功能 卫星通信 无线电 砷化镓 
Diodes推出具有低Ron特性的模拟SPDT开关
《单片机与嵌入式系统应用》2016年第7期86-86,共1页
Diodes公司推出单刀双掷模拟开关产品74LVC1G3157,设计用于数字或模拟信号的多路复用。这款开关解决方案的低导通电阻能够在音频信号路由时确保高完整性。
关键词:单刀双掷模拟开关 SPDT开关 RON 特性 低导通电阻 多路复用 模拟信号 音频信号 
一种集成控制模块的微波SOI SPDT开关
《微波学报》2016年第3期89-92,共4页杨爽 赵明付 顾建忠 高兴振 孙晓玮 
国家重大科学仪器设备开发专项(2012YQ14003702)
采用0.18μm CMOS SOI工艺设计制作了一种集成控制模块的微波单刀双掷开关。开关控制模块包含了低压差线性稳压器和负电压电荷泵,低压差线性稳压器将外部供电高电压转换为开关电路低电压,负电压电荷泵产生一个负压,用以改善开关的性能...
关键词:微波 绝缘衬底上硅 单刀双掷 开关 
一种宽带吸收式SPDT开关的设计与实现被引量:1
《压电与声光》2014年第3期360-362,共3页廖雯 唐光庆 邓立科 吴光春 张雨 
射频开关作为微波通信系统的一种关键部件,广泛应用于各种军用电子系统中。该文详细介绍了一种基于PIN二极管的单刀双掷开关的设计技术和实现方法,测试结果表明,该开关在2-8GHz频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于70dB。
关键词:单刀双掷开关 PIN二极管 插入损耗 隔离度 
用于3D快门式眼镜的新款SPDT开关
《今日电子》2011年第5期66-66,共1页
3D快门式眼镜进行优化的新款小尺寸三端SPDT(三端2:1)开关——DG9454。在2.7~13.2V的V+和2.5~+5.5V的VL工作电压范围内,DG9454可确保与1.8V逻辑兼容,且功耗不到1μA,能够大大延长电池寿命。
关键词:SPDT开关 快门式 眼镜 3D 电压范围 电池寿命 小尺寸 三端 
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