射频开关

作品数：161被引量：206H指数：7
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一种100MHz~12GHz高功率SPDT射频开关
《微电子学》2023年第3期385-389,共5页袁波 吴秀龙 谢卓恒 赵强 秦谋 
重庆市技术创新与应用发展专项项目(CSTC2021 JSCX-GKSB0092)
基于0.13μm CMOS SOI工艺,设计并实现了一种100 MHz~12 GHz高功率SPDT射频开关。该射频开关为吸收式射频开关,开关支路为串并联的拓扑结构。采用负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了隔离度。采用多级开关管堆叠设计,提高了开关的输入1...
关键词：高功率 高隔离度 射频开关 SOI 
基于S3C2410的射频开关矩阵控制系统设计与实现被引量：3
《微电子学》2009年第6期819-823,共5页孙弋 秦东 雷文礼 刘楠 
在自动测试系统中,开关矩阵的主要功能是实现测试系统与被测试电路单元之间的信息交换,提高测试效率。介绍了一种基于ARM微控制器的射频开关矩阵控制系统设计方案,该方案采用基于ARM9的S3C2410微处理器作硬件开发平台,S3C2410的GPIO接...
关键词：ARM GPIO 开关矩阵 自动测试系统 
低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究被引量：5
《微电子学》2009年第5期653-656,共4页田亮 陈磊 周进 黄爱波 赖宗声 
上海AM基金资助项目(08700741300);上海市科委项目(08706200802);纳光电教育工程中心(NPAI)资助项目;上海重点学科建设项目(B411)资助
基于0.18μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路。该电路利用SOI器件的特殊结构(隐埋氧化层BOX,高阻衬底)和特殊SOI器件(FB,BC,BT等),使电路采用的器件较之体硅CMOS器件具有更...
关键词：SOI 射频开关 CMOS 低插入损耗 高隔离度 
微机电微波/射频开关的力学分析及其工艺研究被引量：7
《微电子学》2003年第4期273-275,共3页茅惠兵 忻佩胜 胡梅丽 赖宗声 
国家"973"项目(G1999033105);上海市AM基金(9810)共同资助
　文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试。微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通。考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁...
关键词：射频开关 微机电微波 力学分析 共平面波导 悬管梁 插入损耗 隔离度 制备工艺 
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