失配位错

作品数：37被引量：69H指数：4
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应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1740-1743,共4页陈涌海 杨少延 王占国 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G2000068305)~~
用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层...
关键词：应变异质外延结构 晶格失配 可协变衬底 失配位错 
Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第9期1123-1127,共5页马通达 屠海令 邵贝羚 陈长春 黄文韬 
为了研究失配应变的弛豫机理 ,利用高分辨电子显微镜 (HREM)对超高真空化学气相沉积 (U HVCVD) Si/Si Ge- OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察 .发现此多层结构中存在 6 0°位错和堆垛层错 .结合 Ma...
关键词：Si/SiGe—OI应变异质结构 高分辨显微结构 失配位错 弛豫机理 
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