势垒电容

作品数：20被引量：39H指数：3
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N型硅外延片表面状态对肖特基接触的影响被引量：1
《甘肃科技》2017年第12期32-33,共2页薛兵 陈涛 
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外...
关键词：硅外延片 电阻率 电容-电压法 势垒电容 
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