势垒电容

作品数：20被引量：39H指数：3
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紫外敏感硅光伏二极管的正向特性被引量：3
《半导体光电》1998年第5期314-317,共4页龚道本 
通过实验发现高阻衬底浅结的紫外敏感硅光伏二极管的正向偏置Ｃ－Ｖ特性和Ｉ－Ｖ特性与一般ＰＮ结二极管的正向特性有明显地不同。文章在理论分析的基础上提出了该器件的一种新的模型—─两个背靠背的二极管和一个电阻的串联，能很好地...
关键词：肖特基势垒 二极管 势垒电容 整流接触 
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